三星晶圓代工事業(yè)沖刺先進制程再催油門，進逼臺積電。韓國媒體報導(dǎo)，三星4納米良率已從年初的五成躍增到75%，已可與臺積電相比擬；3納米良率則達60%，在更先進的2納米制程與臺積電競爭的本錢更雄厚，后續(xù)更有機會搶臺積電訂單。

對于三星先進制程良率傳出大躍進，臺積電一貫不評論對手，加上現(xiàn)為法說會前緘默期，公司昨（12）日未評論。臺積電昨天股價開低走高，尾盤神龍擺尾翻紅，收盤價578元新臺幣、漲1元新臺幣，未受三星相關(guān)消息影響。

韓國經(jīng)濟日報與BusinessKorea報導(dǎo)，HI投資證券半導(dǎo)體分析師樸相昱（音譯）11日發(fā)布報告指出，三星4納米良率已提高到75%，3納米良率則改善到60%。今年初時，業(yè)界預(yù)估三星4納米良率約50%。

3納米和4納米等先進制程技術(shù)良率超過60%，意味這些制程生產(chǎn)已達穩(wěn)定水準。樸相昱研判，三星能提高良率的原因之一，是芯片業(yè)景氣趨緩，“隨著整體產(chǎn)業(yè)放緩，晶圓廠產(chǎn)能利用率降低，三星投入更多測試晶圓于改善良率”。

他指出，“之前三星10納米以下良率改善放緩，致使三星不斷延后推出產(chǎn)品，而良率是蘋果、英偉達及高通等大廠轉(zhuǎn)向臺積電投片的關(guān)鍵”，臺積電和三星去年資本支出差距因而拉大到3.4倍，產(chǎn)能差距也擴大到3.3倍，“在7納米技術(shù)以下的制程節(jié)點，臺積電去年全球市占率接近90%，讓三星更難趕上”。

樸相昱認為，現(xiàn)在三星先進制程良率已幾乎和臺積電相當(dāng)，提高贏回高通、英偉達等客戶訂單的機率，誘因包括采用環(huán)繞閘極（GAA）電晶體架構(gòu)的3至5納米制程良率改善，以及芯片業(yè)希望擴增供應(yīng)來源。其他分析師也說，三星3納米良率改善后，在更先進2納米制程與臺積電相競爭的本錢更雄厚。