三星電子半導(dǎo)體事業(yè)主管慶桂顯5月5日表示，三星電子的芯片制程優(yōu)勢將在未來五年內(nèi)超越臺積電，預(yù)期2納米制程將領(lǐng)先臺積電。

據(jù)《韓國經(jīng)濟(jì)日報(bào)》報(bào)道，慶桂顯說：“我們的晶圓代工技術(shù)落后臺積電一到兩年，但一旦臺積電加入我們的2納米科技競賽，三星將領(lǐng)先”，“我們能在未來五年內(nèi)超越臺積電”。

慶桂顯表示，三星電子的4納米技術(shù)落后臺積電兩年，3納米制程落后一年左右，但在臺積電進(jìn)入2納米制程后，事態(tài)將改變，“我們的客戶較偏好我們的GAA技術(shù)，三星的晶圓代工客戶群正在擴(kuò)增”。