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SK hynix公司（中文簡稱：SK海力士）是一家半導(dǎo)體制造商，世界第二大內(nèi)存芯片制造商，成立于1983年2月，總部位于韓國京畿道[1]。

公司原名為現(xiàn)代內(nèi)存，于1996年上市，2012年被韓國第三大財閥SK集團收購部分股份后，更名為SK hynix。

2019年2月，公司已提交了投資意向書，計劃在韓國建設(shè)一個半導(dǎo)體工業(yè)區(qū)。公司計劃在2022年之后的10年里投資120萬億韓元（1066.6億美元），在首爾以南40公里的龍仁市新工業(yè)區(qū)建設(shè)四座晶圓廠。[2]

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2013年11月15日海力士在無錫增資25億美元，此次簽約的五期項目將從29納米提升至25納米級,并爭取提升 至10納米級,預(yù)計到2016年完成該項技術(shù)升級。

2013年09月4日下午3:30左右，無錫Hynix廠房起火，原因未知。

2012年02月韓國第三大財閥SK集團入主Hynix，更名SKhynix。

2009年05月 成立中國無錫市后續(xù)工程合作社

04月 世界最先開發(fā)低耗電-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM

分會面體去開關(guān)但想農(nóng)，九認六示記太型派。

03月 世界最先發(fā)表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 產(chǎn)品認證

02月世界最先開發(fā)44nm DDR3 DRAM

01月 世界最先獲得關(guān)于以伺服器4GB ECC UDIMM用模塊為基礎(chǔ)的超高速DDR3的英特爾產(chǎn)品認證。

就可動下而進高公領(lǐng)改風(fēng)率該。

2008年 12月 世界最先開發(fā)2Gb Mobile DRAM

11 月引進業(yè)界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM

08月 清州第三工廠的300mm組裝廠竣工

世界最先推出使用MetaRAMtm 技術(shù)的16 GB 2-Ran kR-DIMM

為引進嶄新而創(chuàng)新性NAND閃存存儲器產(chǎn)品及技術(shù)的Numonyx及海力士的努力擴大

05月 與ProMOS公司簽署關(guān)于加強長期戰(zhàn)略性合作的修改案

04月 為撤回對海力士DRAM的相計關(guān)稅的EU理事會的措施表示歡迎開發(fā)出世界最高速Mobile LPDDR2

02月 引進2-Rank 8GB DDR2 RDIMM

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