1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。

2、主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。

3、由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。

4、它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。

5、具有輸入電阻高（10^{7～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。}

6、場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。

7、由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。

8、FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

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