1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場(chǎng)效應(yīng)管。
2、主要有兩種類型:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱MOS-FET)。
3、由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
4、它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
5、具有輸入電阻高(107~1015Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn),現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。
6、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件,并以此命名。
7、由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電,又稱單極型晶體管。
8、FET 英文為Field Effect Transistor,簡寫成FET。
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