三星即將推出的3納米芯片制造工藝可能使智能手機處理器的功耗降低50%。

三星今天表示，預計從2021年開始大規(guī)模生產(chǎn)3nm芯片。3nm芯片的改進版本將在明年推出。

該公司半導體業(yè)務的高管對記者表示，這項技術有望生產(chǎn)出比三星目前的7nm芯片制造工藝能耗低50%的處理器，同時還能提高35%的性能。就表面積而言，3nm工藝將使芯片縮小約45%。

設備制造商是否會使用該技術是另一回事。在臺灣臺積電為蘋果，高通，英偉達和AMD生產(chǎn)芯片的時候，三星正在開發(fā)其在計算機處理器行業(yè)的領先地位。在會議期間，該公司本身表示臺積電的半導體業(yè)務是其自身規(guī)模的三倍。

但是，三星希望借助即將推出的3nm芯片制造技術吸引更多的客戶。為了生產(chǎn)下一代芯片，該公司依靠其“全柵”晶體管架構，該架構是FinFET技術的后繼產(chǎn)品。

三星代工市場主管Ryan Lee表示：“我們的研究中心一直在努力尋找3nm以上功率降低的新方法。” “他們的解決方案是最好的方法。