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          佳能的NIL光刻機,能超越ASML的EUV?

          2023-10-16 17:43:17來源:
          導(dǎo)讀上周,又有一個新的話題。某公眾號說,光刻機商之一的佳能推出了一款新設(shè)備,號稱顛覆光刻巨頭ASML!一看標(biāo)題,非常之牛逼,把我都看傻了,...

          上周,又有一個新的話題。

          某公眾號說,光刻機商之一的佳能推出了一款新設(shè)備,號稱顛覆光刻巨頭ASML!

          一看標(biāo)題,非常之牛逼,把我都看傻了,千年老三的佳能,怎么突然之間打通任督二脈變成絕世高手,要華山論劍把ASML給干趴下了?

          內(nèi)容是這樣的:日本佳能宣布推出新型光刻設(shè)備:FPA-1200NZ2C納米壓印半導(dǎo)體制造設(shè)備!

          據(jù)佳能介紹,傳統(tǒng)的光刻設(shè)備通過將電路圖案投射到涂有抗蝕劑的晶圓上,而佳能此新產(chǎn)品通過在晶圓上的抗蝕劑上壓印有電路圖案的掩模來實現(xiàn)這一點,就像郵票一樣。

          圖片來自網(wǎng)絡(luò)

          圖片來自網(wǎng)絡(luò)

          所謂NIL,納米壓印是一種不同于傳統(tǒng)光學(xué)的微納加工技術(shù)路線,其實不算什么新型的“天頂星人科技”,以及有些歷史了。

          1995年,華裔科學(xué)家周郁(Stephen Chou)教授首次提出納米壓印概念,從此揭開了納米壓印制造技術(shù)的研究序幕。

          到2003年,納米壓印作為一項微納加工技術(shù),被納入國際半導(dǎo)體技術(shù)藍圖(ITRS)。

          2009年,美國從事納米壓印基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)的Molecular Imprints公司(MII)曾規(guī)劃將NIL技術(shù)用于32nm邏輯節(jié)點生產(chǎn)制造。但進展也未及預(yù)期——據(jù)說是因為生產(chǎn)速度慢,而且缺陷率高,資金問題也成為MII發(fā)展技術(shù)的掣肘。

          五年后的2014年,佳能收購了MII。實際早在十年前,佳能從2004年就開始一直秘密研發(fā)納米壓印技術(shù),直到收購MII公司,將其更名為Canon Nanotechnologies,從而進入NIL市場。

          這是它的工作原理。

          圖片來自網(wǎng)絡(luò)

          圖片來自網(wǎng)絡(luò)

          根據(jù)佳能的說法,佳能的納米壓印技術(shù)NIL(Nano Imprint Lithography)技術(shù)可以實現(xiàn)最小實際線寬14nm的圖形化工作,相當(dāng)于最先進的邏輯代工的5nm工藝。此外NIL技術(shù)可以進一步改進,最小有望實現(xiàn)10nm的電路圖案,相當(dāng)于2nm工藝。

          另外根據(jù)佳能的介紹,套刻精度是2.4nm/3.2nm(盡管我認為這個套刻精度不是那個套刻精度的概念),實驗室的研發(fā)數(shù)據(jù)是NIL可以處理每小時100片晶圓。這個已經(jīng)摸到了商業(yè)化門檻,因為ASML的NXE 3300系列的EUV光刻機,單位小時產(chǎn)能也就125片而已,非常接近了。

          此外佳能的NIL技術(shù)也得到了下游客戶的認可,比如原日系存儲公司鎧俠(前身是東芝存儲)以及SK海力士們,他們在NAND制程上做了部分嘗試,目前來看,似乎還是有些作用的。

          因此NIL被譽為下一代最有前景的光刻圖形化技術(shù)之一!

          那么,佳能的NIL是否真的能顛覆傳統(tǒng)光學(xué)投影路線的光刻技術(shù),打敗ASML呢?從大A來看,板塊似乎來臨,似乎中國如果采用了這條技術(shù)路線,就能繞過美國針對中國的EUV光刻機的封鎖(EUV的光源Cymer是美國公司),未來中國能制造更先進的芯片,看起來非常哇塞。

          但是事實是什么?NIL能否顛覆ASML的EUV光刻機?今天我們來細聊NIL的優(yōu)缺點。

          NIL的優(yōu)缺點

          很顯然,NIL還是有一些優(yōu)點的,至少看起來這個最小可以實現(xiàn)10nm的線寬就非常誘人。

          從優(yōu)點上來講,確實實現(xiàn)更小精度的圖形化工藝是其最大的優(yōu)點,延伸開來說法是一定程度上解決當(dāng)下中國大陸的需求,因此股吧就有人說未來中國能繞過EUV光刻機的限制,從而實現(xiàn)更小的5nm制程,所以A股相關(guān)板塊就了。

          而且NIL設(shè)備價格便宜,根據(jù)佳能的介紹,其設(shè)備只有傳統(tǒng)光刻機十分之一都不到,畢竟一臺EUV都是上億美金,性價比十分突出。

          不僅是設(shè)備便宜,而且NIL的功耗也低。不管是DUV還是EUV,都是有名的“電老虎”,每天光刻機消耗著巨大的電力,這電費也是FAB廠一筆不小的開支。

          所以說,當(dāng)前NIL技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更小的制程,設(shè)備價格便宜,功耗低是其最大的優(yōu)點。

          說完優(yōu)點再說缺點,聊點專業(yè)技術(shù)的。

          從NIL的技術(shù)特點上來,掩膜板和晶圓是完全貼合的,這和50年前接觸式光刻機原理一模一樣。

          接觸式光刻機

          接觸式光刻機

          50年前的接觸式光刻機也是一片掩膜板完全覆蓋貼合一片硅晶圓,然后進行完整的一次曝光,1:1的進行一次圖形化轉(zhuǎn)移。

          但是!接觸式光刻機有巨大的問題,第一是污染問題,導(dǎo)致當(dāng)時芯片的良率非常低,只有10%,產(chǎn)能根本上不去。

          其次是掩膜版反復(fù)工作后極其容易損壞,基本曝光十次掩膜版就廢了,得換新的,因此掩膜版的成本也極其高昂。

          這里兩者因素共同造成當(dāng)年的芯片成本居高不下。

          當(dāng)年摩托羅拉的6800芯片,高達280多美金一顆,那可是上世紀60年代!簡直貴得離譜,除了米國軍方外,誰用得起這個?

          所以沒多久接觸式光刻機就被淘汰,改用漸進式光刻機,掩膜板不再和硅片貼合,只是盡可能的接近。但是有一定的距離后光有衍射效應(yīng),圖形會變模糊,后面為了解決因為光衍射問題,又發(fā)明了反射式光刻機。

          Perkins Elmer 反射式光刻機

          Perkins Elmer 反射式光刻機

          反射式也是1:1,但是隨著芯片制程不斷縮小,反射式的精度不夠看了,再接著就是步進式投影光刻機。

          從步進式投影光刻機開始,基本和現(xiàn)代光刻機原理就沒啥區(qū)別了,掩膜板圖形通過物鏡系統(tǒng),按比例精確投影到硅片上。

          光學(xué)投影原理

          光學(xué)投影原理

          這是第一臺GCA公司的4800型步進投影光刻機,當(dāng)年售價50萬美金,雖然貴,但是因為精度好,效率高,供不應(yīng)求!

          GCA公司的DSW 4800步進投影式光刻機

          GCA公司的DSW 4800步進投影式光刻機

          再然后是效率問題。

          步進投影光刻機除了成像精度好,沒有污染,以及掩膜板并非接觸式,沒有用多了報廢的問題等優(yōu)點,其最大優(yōu)點就是壽命長,而且對于整個工藝而言良率高!

          現(xiàn)在ASML的頂配DUV,是單位小時300+片的產(chǎn)能,性能指標(biāo)是每片晶圓上曝光96個區(qū)域,每平方厘米30毫焦耳的能量。

          ASML的光刻機把曝光效率,成像精度,以及一致性發(fā)揮到了極致,當(dāng)然背后離不開ASML變態(tài)的光學(xué)投影系統(tǒng)以及高效高精度的雙工件臺技術(shù)。

          那么問題來了,佳能的NIL是否也有ASML這樣的效率,良率和壽命?

          除了效率問題,那一致性問題呢?是不是每一次曝光,每一臺設(shè)備的精度都能保持一致性呢?如果做不到,那就十分炸裂,客戶怎么用?

          再從細節(jié)上來講,接觸式有個最大弊病,既然是接觸壓印,你得考慮材料問題吧,得考慮應(yīng)力問題吧,得考慮各種形變問題吧,這些問題從某種角度而言,可比光學(xué)難題難處理多了。

          光學(xué)投影的誤差,問題說穿了就是麥克斯韋方程組里的問題,理論和公式早就搞得清清楚楚,無非就是應(yīng)用端想辦法解決而已。

          但是這個壓印的材料問題,應(yīng)力問題,形變問題,目前來看堆難題在前方,而且還是一時間解決不了的問題,個人認為只會比光學(xué)難題大而不是小。

          還有壽命問題,顯然NIL從設(shè)備到材料是有壽命的,這個壽命是多久?1000次,還是10000次,還是100000次?

          假設(shè)壓印頭尺寸跟光刻機一樣是26x33mm,一片12寸晶圓有96個區(qū)域需要曝光,因此一片晶圓需要壓印96次。

          而現(xiàn)代光學(xué)光刻機一天要跑5000-6000片晶圓,就按5000片的量算,一天就是96*5000=480000次,一天48萬次。

          就算NIL的十萬次壽命連半天都跑不到就掛了,哪怕一百萬次壽命,也才能用2天而已,這壽命根本沒法看,要知道光刻機工作壽命普遍是20-30年的!

          我去參觀過很多FAB廠,有些光刻機年紀比我還大!我都是“男人一枝花”的年紀了!

          據(jù)我所知,現(xiàn)在NIL的壽命就根本沒這么久能用,撐死一萬次。

          綜上所述,盡管NIL有其低成本, 低功耗,精度高的優(yōu)點,但是污染,應(yīng)力,一致性,壽命,效率,堆難題根本就沒解決。

          而且就從產(chǎn)業(yè)鏈角度而言,現(xiàn)在NIL也只是實驗室階段的嘗試,其研發(fā)投入,市場接受度,說商業(yè)化還早著呢,別提什么中國利用NIL繞過EUV限制實現(xiàn)5nm以下工藝,這都是扯淡。

          當(dāng)然A股股民可不管這些。

          擁抱泡沫是每個大A韭菜自我后的修養(yǎng)之一

          雖然從專業(yè)角度來看,NIL說取代EUV根本就是天方夜譚,但是A股可不管這些!

          想想也是,畢竟A股又有幾個人是專業(yè)的技術(shù)專家呢?

          專業(yè)人不說,沒人出來點破皇帝的新裝,這不是就是一個很好的題材嗎?一看NIL取代EUV光刻機,中國突破5nm有望,不是非常有希望,非常熱血的話題么!

          反正普通人又看不懂,跟著炒就完事了。

          所以說管它呢,該炒還得炒,該擁抱泡沫還得擁抱泡沫,畢竟擁抱泡沫才有超額收益,各位說是不是?

          沒想明白的人,來,再讓我們背誦一下大A韭菜的自我修養(yǎng):

          搏一搏,單車變摩托,賭一賭,汽車是路虎,拼一拼,綠源變馬丁,沖一沖,鳥籠變獨棟!

          敢賭才是情,愛拼才會贏!

          要想富,下重注,一分鐘,少打十年工!

          誰家小孩夜夜哭,哪有賭徒天天輸?

          小賭養(yǎng)家糊口,大賭發(fā)家致富,豪賭海邊大別墅!

          哈哈哈哈哈哈哈……

          今日廁所讀物完畢。

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