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歐姆接觸是指金屬與半導(dǎo)體形成歐姆接觸是指在接觸處是一個(gè)純電阻,而且該電阻越小越好,使得組件操作時(shí),大部分的電壓降在活動(dòng)區(qū)而不在接觸面。因此,其I-V特性是線性關(guān)系,斜率越大接觸電阻越小,接觸電阻的大小直接影響器件的性能指標(biāo)。
肖特基接觸是指金屬和半導(dǎo)體材料相接觸的時(shí)候,在界面處半導(dǎo)體的能帶彎曲,形成肖特基勢(shì)壘。勢(shì)壘的存在才導(dǎo)致了大的界面電阻。與之對(duì)應(yīng)的是歐姆接觸,界面處勢(shì)壘非常小或者是沒(méi)有接觸勢(shì)壘。
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肖特基接觸到歐姆接觸的轉(zhuǎn)變:二維 (2D) InSe具有高達(dá)10^3 cm^2·V^-1·s^-1的電子遷移率,可以與黑磷相媲美,且能夠在空氣中穩(wěn)定存在。在實(shí)際應(yīng)用中,2D InSe需要與金屬電極直接接觸以實(shí)現(xiàn)載流子的注入。
然而,接觸界面會(huì)形成有限的肖特基勢(shì)壘,其降低了載流子的注入效率,增大了接觸電阻,從而極大的削弱了器件性能。因此,通過(guò)調(diào)節(jié)接觸界面的勢(shì)壘高度來(lái)形成低電阻歐姆接觸,對(duì)高性能半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì),組裝和制造至關(guān)重要。
參考資料來(lái)源:
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