高通不久前發(fā)布了驍龍835?；谌?0納米FinFET工藝的高端芯片組，有望在明年在設(shè)備上推出。

但是您可能會想知道Snapdragon 830呢?隨著Snapdragon 835的發(fā)布，高通似乎也非常愿意跳過它。但是現(xiàn)在有一份來自的報(bào)道稱，Snapdragon 830仍然會發(fā)生。

據(jù)說該處理器將在2017年下半年首次亮相，因此比Snapdragon 835稍晚。一些芯片組的規(guī)格也泄漏了。我們被告知SoC將利用六個或八個Kyro 200內(nèi)核。

snapdragon-835-10-nm-finfet公告圖片它還將捆綁Adreno 519 GPU，類似于Snapdragon 835的將使用10nm工藝制造。最后但并非最不重要的一點(diǎn)是，新的硅片將與Cat.12基帶支持捆綁在一起。

看來，2017年，高通將繼續(xù)其推出兩款旗艦處理器的戰(zhàn)略。今年我們見過Snapdragon 820和Snapdragon 821，如果明年傳言屬實(shí)，我們將首先看到Snapdragon 835，然后是Snapdragon 830。

看起來確實(shí)有些不尋常，但是請記住，Snapdragon 830尚未得到正式確認(rèn)，因此請使用大量鹽份來獲取此信息。

強(qiáng)大的蛇龍傳言工廠一直在竊竊私語，據(jù)報(bào)道將于6月/ 7月發(fā)布的OnePlus 4將成為首批搭載Snapdragon 830的引擎之一。如果確實(shí)如此，這還有待觀察。

至于Snapdragon 835，高通并未分享太多信息。幸運(yùn)的是，最近的一次泄密事件使人們對此事有所了解。預(yù)計(jì)該硅膠片將基于一種經(jīng)過改進(jìn)的Kyro 200架構(gòu)，該架構(gòu)利用了四個大芯線和四個小芯線。

SoC將利用Adreno 540 GPU，X16 LTE調(diào)制解調(diào)器和Quick Charge 4.0的優(yōu)勢。高通公司還表示，新芯片將使面積效率提高30%，性能可能提高27%，功耗降低40%。

預(yù)計(jì)首款搭載Snapdragon 835的設(shè)備包括Galaxy S8和Xiaomi Mi 6。